- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C30B - Croissance des monocristaux; solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes; affinage des matériaux par fusion de zone; production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; appareillages à cet effet
- C30B 15/14 - Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé
Détention brevets de la classe C30B 15/14
Brevets de cette classe: 354
Historique des publications depuis 10 ans
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Globalwafers Co., Ltd. | 561 |
43 |
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1277 |
31 |
Sumco Corporation | 1116 |
23 |
Siltronic AG | 395 |
21 |
Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | 58 |
18 |
SK Siltron Co., Ltd. | 146 |
13 |
Hanwha Solutions Corporation | 572 |
13 |
Hanwha Corporation | 258 |
10 |
Xi'an Eswin Material Technology Co., Ltd. | 45 |
9 |
Leading Edge Equipment Technologies, Inc. | 23 |
8 |
Sumco TECHXIV Corporation | 109 |
6 |
Toyota Motor Corporation | 28582 |
5 |
Forschungsverbund Berlin e.V. | 194 |
5 |
LG Siltron Inc. | 116 |
5 |
Zing Semiconductor Corporation | 50 |
5 |
Corner Star Limited | 95 |
5 |
LONGi Green Energy Technology Co., Ltd. | 180 |
5 |
Woongjin Energy Co., Ltd. | 19 |
5 |
Xi'an ESWIN Silicon Wafer Technology Co., Ltd. | 13 |
5 |
GTAT Corporation | 114 |
4 |
Autres propriétaires | 115 |